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关于半导体工艺这点你要知道（4）蚀刻工艺
大家好！这次是第4道工序！是蚀刻（Etching）工序，我们一起学习吧~
蚀刻（Etching）工序?.
还记得之前第3课光刻（PhotoLithography）工程中“照相~”的表达吗？在这个蚀刻(Etching)过程中，我们将消除底图中不必要的部分，即只保留电路图案中必要的部分，而将不必要的部分削掉。更详细地说，如果在光刻“PhotoLithography”工序中形成了光刻胶“PhotoResist”，那么在蚀刻工序中，就是使用液体或气体（etchant）进行腐蚀，消除多余部分的工作。（其中etchant是进行腐蚀的物质的统称）这种蚀刻技术是制作铜版画的美术中经常使用的方法。19世纪画家皮萨罗（CamillePissaro）和德加（EdgarDegas）也利用蚀刻制作了很多精致细致的线。Skylake-U Based Memory Tester (DRAM Test MB)。惠州芯片测试导电胶
什么是探针（又名Pogo针或弹簧探针）？
-Pogo Pins 的基本结构是什么？
通用pogo销由3个部分组成：桶、柱塞和弹簧。为了更好的稳定性，Pogo引脚通常插入外壳中，但在许多情况下，这些引脚只是直接焊接在PCB上。通常，pogo销的柱塞与一个金垫接触，称为“接触垫”或“垫”，以关闭电路。桶焊接在PCB上或附有电线。与扁平弹簧连接器相比，Pogo引脚通常被认为是更耐用的连接器类型，因为引脚不会划伤接触垫的表面。
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关于半导体工艺（一）晶片工艺，这点你要知道：
2、晶片制造工艺
1）铸锭(Ingot)硅是从沙子中提取的。要将其用作半导体材料，必须经过精炼。是提高纯度的过程。将高纯度提纯的硅（Si）溶液放入铸件中旋转，就形成了硅柱。我们称之为铸锭。可利用硅晶体生长技术Czochralski法或FloatingZone法等获得该锭。处理数纳米(nm)微细工艺的半导体用铸锭，在硅铸锭中也使用超高纯度的铸锭。
2）切割铸锭（WaferSlicing）去除铸锭末端，用金刚石锯切割成厚度均匀的薄片（Wafer）。晶片的直径决定了晶片的大小。在可以使用的程度上切割得越薄，制造费用就越低，所以近切割得越来越薄。直径的大小也变大是大势所趋。这也是因为面积越大，制造的半导体芯片就越多。
3）磨削晶片表面（Lapping,Polishing）通过1）,2）过程制成的晶片表面非常粗糙,有很多凹凸不平的瑕疵,因此在实际半导体工程中很难使用。因此,需要对表面进行研磨,使其光滑。通过研磨液和研磨设备将晶片表面磨得光滑。
关于半导体工艺，这点你要知道：（2）氧化（Oxidation）工艺
3、除此之外，影响氧化膜生长速度的半导体尺寸越来越小，而氧化膜作为保护膜的作用是必要的，因此氧化膜的厚度是决定半导体尺寸的重要因素。因此，为了减小氧化膜的厚度，需要协调氧化过程中的各种变量。我们在第2节中讨论过的湿法氧化，干法氧化也是其中变量的一种种类，除此之外，晶片的晶体结构，Dummy Wafer（为了减少正面接触气体或稍后接触气体部分的氧化程度差异，可以利用Dummy Wafer作为晶片来调整气体的均匀度）、掺杂浓度、表面缺陷、压力、温度和时间等因素都可能影响氧化膜的厚度。
和我一起来了解一下氧化膜的作用，氧化膜是如何形成的，以及这些氧化膜的形成速度受哪些东西的影响。半导体八大工序中的两个工序已经完成；下节我们将讨论在半导体上制作电路图案的蚀刻工艺。深圳市革恩半导体有限公司为专业从事存储器件测试解决方案公司。
关于半导体工艺这点你要知道（4）蚀刻工艺
为什么要做好蚀刻（Etching）？！
2#蚀刻速率(Etch Rate)
蚀刻速率表示一段时间内膜的去除量。等离子体态的原子和离子的数量，或者这些原子和离子所具有的能量，决定了蚀刻的快慢。当然，如果量大，能量高，蚀刻速度就会增加。所以你可以调整这些数量和能量，以适应合适的蚀刻速度。此外还有根据膜质，将不同的蚀刻量按比例表示的选择性(Selectivity)等考虑因素，所有这些细节都在蚀刻(Etching)工程组中进行着很多努力，以更加精细的方式进行。 大家对蚀刻（Etching）工序理解了吗？等离子体，均匀度，蚀刻速度，下回见！深圳市革恩半导体有限公司与韩企对接合作十多年，业务领域及相关合作共赢。江苏导电胶有哪些
关于半导体工艺这点你要知道 (5)扩散(Diffusion) 工艺。惠州芯片测试导电胶
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